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k・p法による歪みウルツ鉱型GaNバンド構造の解析

概要

このベンチマークモデルは、シュレーディンガー方程式インターフェースで複数の波動関数成分を設定するユーザー向けのチュートリアルとして、COMSOL Multiphysics®の半導体モジュールを使用して、歪み有り無しの場合でバルクGaNウルツ鉱結晶の価電子帯構造を計算します。
モデルは Chuang と Chang による参考論文で与えられた定式化に従います。ハミルトニアン行列の対角要素と非対角要素はモデルドキュメントの詳細な指示に従って組み込み機能を使用して入力されます。計算された固有値は解析解および論文の図5とよく一致しています。

*本解説は、COMSOL社のサイトから提供されているアプリケーションギャラリの例題モデルをポイント解説したものです。実際のモデルファイルやモデルの説明書はCOMSOL社のサイトからダウンロードしてください。
関連モデルファイル:https://www.comsol.jp/model/k-p-method-for-strained-wurtzite-gan-band-structure-88271
関連ブログ(英語):https://www.comsol.com/blogs/k-・-p-method-for-strained-wurtzite-gan-band-structure/

関連ワード

シュレーディンガー方程式、GaNウルツ鉱結晶、バンド構造

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