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事例/資料
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COMSOL Multiphysics®におけるバイポーラ接合トランジスタ(BJT)の熱解析
※本動画の音声は英語となります（日本語資料、スクリプト有り）
概要
このプレゼンテーションでは、半導体インターフェースを伝熱（固体）インターフェースと連成して、バイポーラトランジスタの熱挙動を解析する方法を示します。半導体インターフェースは、デバイス内のキャリアダイナミクスと電流を計算し、電気的プロセスによる加熱項を出力します。この加熱項は、デバイス全体の温度分布を計算するために、伝熱（固体）インターフェースによって熱源として使用されます。伝熱（固体）インターフェースからの温度分布は、半導体インターフェースの格子温度を指定するために使用され、電気特性が変化し、加熱項が変化します。これで双方向連成モデルが得られます。
■こんな方におすすめ：
半導体デバイスの熱解析
■キーワード：
半導体デバイスの熱解析、PN接合を横切る熱伝達、熱-電気双方向連成シミュレーション、MOSFET/BJT/ダイオードの熱散逸、不完全イオン化
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