COMSOL Multiphysics®によるFinFETおよびナノワイヤーMOSFETシミュレーション【セミナーアーカイブ】
こちらの資料は、「COMSOL Multiphysics®によるFinFETおよびナノワイヤーMOSFETシミュレーション」（2025年2月開催）の動画・資料をアーカイブ化したものです。
※本セミナーは英語での講演となります。
セミナー詳細
https://kesco.co.jp/sinfo/?s_id=664354
セミナー内容
本半導体セミナーでは、FinFETおよびナノワイヤーMOSFETの3Dシミュレーションについて取り上げます。これらの高度なトランジスタアーキテクチャは、特にナノメートルスケールでの短チャネル効果や電力効率が重要な課題となる中、平面型MOSFETの限界を克服します。
セミナーの第1部では、FinFETのシミュレーションに焦点を当てます。
デバイスのI-V特性は、ゲート電圧をスイープしてドレイン電流対ゲート電圧(Id-Vg)のプロットを生成することで解析されます。その後、ドレイン電流とドレイン電圧(Id-Vd)の特性は、固定ゲート電圧で計算されます。
第2部では、ナノワイヤーMOSFETの3Dシミュレーションを紹介します。このシミュレーションでは、密度勾配理論を採用して、量子閉じ込め効果を従来のドリフト拡散式に組み込み、計算効率の高いアプローチを提供します。酸化物層は幾何学的ドメインを使用して明示的にモデル化され、専用の境界条件がシリコン-酸化物界面での量子閉じ込めを構成します。密度勾配有効質量は異方性として扱われます。さまざまな選択ユーティリティにより、物理設定とプロット選択の割り当てが効率化されます。シミュレーション結果は、公表されているId-Vg曲線と良好に一致しています。
■こんな方におすすめ：
半導体デバイス・シミュレーションの初心者と、半導体デバイスの開発とアプリケーションのためのマルチフィジックス・シミュレーションに関する深い知識を求める上級者の両方を対象としています。
講師
ムルガナタン マノハラン
計測エンジニアリングシステム株式会社 技術部
※動画パスワードと資料をご希望の方は下記資料請求ボタンよりご請求ください。