COMSOL Multiphysics®におけるGaAs LED、InGaN/AlGaNダブルヘテロ構造LED、およびGaAsフォトダイオードのシミュレーション【セミナーアーカイブ】
こちらの資料は、「COMSOL Multiphysics®におけるGaAs LED、InGaN/AlGaNダブルヘテロ構造LED、およびGaAsフォトダイオードのシミュレーション」（2025年4月開催）の動画・資料をアーカイブ化したものです。
セミナー詳細
https://kesco.co.jp/sinfo/?s_id=113620
セミナー内容
本半導体セミナーは、オプトエレクトロニクスデバイスのモデリングとシミュレーションに焦点を当てます。
セミナーの第1部では、赤外光を放出するGaAs LEDのモデリングとシミュレーションについて説明します。デバイス構造は単一のp-n接合で構成されており、n型ウェーハの上部近くにp型ドープ層が形成されています。本モデルでは、光学遷移機能を使用してデバイスのエレクトロルミネッセンスを計算します。電子特性を解析し、光の放出効率を評価します。さらに、直接放射再結合の空間分布を可視化することで、光の総出力効率を最大化するための設計最適化を提案できます。
セミナーの第2部では、GaNベースのLEDのモデリングとシミュレーションに焦点を当てます。発光強度、スペクトル、および量子効率を駆動電流の関数として計算します。このモデルでは、バンドギャップを横切る直接的な放射再結合に加え、非放射性のオージェ再結合や捕獲アシスト再結合プロセスも考慮されています。
セミナーの第3部では、COMSOL Multiphysics®の半導体オプトエレクトロニクスフィジックスを使用して、シンプルなGaAs PINフォトダイオードのモデリングを行います。シミュレーションでは、半導体内の誘導放射および自発放射プロセスの両方を考慮します。さらに、対応する光吸収と、それに伴う複素屈折率の変化を一貫性のある方法で組み込みます。
講師
ムルガナタン マノハラン
計測エンジニアリングシステム株式会社 技術部
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