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- 銀焼結接合層を有するパワー半導体SiCチップ放熱構造の熱応力・変形の解析
概要
パワー半導体デバイス・ICはスマートフォン、EV、鉄道、再エネ電力送電等の電力変換・パワーコントロールを担っており、脱炭素エコ社会に向けて重要不可欠である。本研究では銀焼結材をSiCチップとCuクリップの接合やチップ基板間接合に用いた構造の信頼度保証を目的として、これらの構造の熱応力・変形をCOMSOLで解析した。その結果Cuクリップ付SiC構造では、チップ面に対する垂直応力がクリップ下方の銀焼結層とチップの端に引張応力として現れること等を明らかにした。またこの引張応力の発生メカニズムを提案した。
発表者
中野 誠彦
慶應義塾大学 理工学部 教授
共同著者
青木 正明(慶應義塾大学/理工学部/訪問教授)
山下 和馬(慶應義塾大学/理工学部/学生)
キーワード
SiC、ダイレクトチップ接合、銀焼結、パワーデバイス、放熱構造
資料公開
可(郵送)
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