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- 高信頼SiCパワーデバイス実現に向けた銀焼結Cuクリップ構造の熱応力解析
概要
SiCパワーデバイスの高信頼化に向け、銀焼結接合とCuクリップ実装構造の熱応力解析を行った。COMSOLによるシミュレーションにより、クリップ厚が応力分布に及ぼす影響と、銀焼結層端部での引張応力発生を明らかにした。
発表者
中野 誠彦
慶應義塾大学 理工学部 電気情報工学科 教授
共同著者
青木正明、村上大斗、松野琳太郎（慶應義塾大学）
キーワード
SiCパワーデバイス、銀焼結接合、熱応力解析
資料公開
可(郵送)
＊こちらの資料は郵送での対応となります。