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- 金属原子層堆積の初期核発生過程その場計測のための分光反射率シミュレーション
概要
半導体デバイスの配線工程には，微細化しても低抵抗で断線しにくい金属薄膜を形成する製膜技術が求められる。絶縁膜上の金属製膜では，孤立した島状成長に始まり，厚膜化とともに連続膜に移行する形態変化がしばしば見られる。配線特性に大きく影響する製膜中の形態変化を光学的にその場計測するため，波動光学シミュレーションを用いて金属コバルトの成長形態と分光反射率との対応関係について評価した結果を紹介する。
発表者
玉置 直樹
東京大学 大学院工学系研究科 マテリアル工学専攻 学術専門職員
共同著者
霜垣幸浩（東京大学 大学院工学系研究科 マテリアル工学専攻 教授）
キーワード
ALD、半導体配線、光計測
資料公開
可