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ケミカルエッチングの原理と過程
公開日：2022年10月27日
概要
この例では、COMSOL Multiphysics®の基本機能を使用して、層流における2Dジオメトリのウェットケミカルエッチングの原理を示します。ウェットケミカルエッチングは集積回路、MEMSデバイス、オプトエレクトロニクス、圧力センサーなどでのパターニングが行われるマイクロエレクトロニクス産業で特に重要です。このアプリケーションは塩化銅のエッチャント流れにおける銅キャビティのウェットケミカルエッチング過程を示します。線形動力学をエッチング反応物に対して仮定します。
エッチングプロセスの間の濃度、速度プロファイル、マスクされていない銅キャビティの形状発展を調べます。銅基板の変形ジオメトリが局所的な流速プロファイルと、エッチャント種の流束に依存することが分かります。このモデルは層流の下で銅基板がどのようにエッチングされるかと、2Dキャビティ形状がウェットエッチング過程でどう変形するかを予想します。
＊本解説は、COMSOL社のサイトから提供されているアプリケーションギャラリの例題モデルをポイント解説したものです。実際のモデルファイルやモデルの説明書はCOMSOL社のサイトからダウンロードしてください。
関連モデルファイル：https://www.comsol.jp/model/chemical-etching-44481
関連ワード
ウェットケミカルエッチング、変形ジオメトリ、パターニング
