プラズマCVDにおける成膜条件の最適化に向けた 反応機構の理解とプロセス制御・成膜事例
「所望の薄膜」を形成するプラズマCVDプロセスの確立に向けて
- 著者名
- 白藤 立
- 所属
- 大阪公立大学
大学院工学研究科 電子物理系専攻
教授- 発売日
- 2018年9月27日
- ページ数
- 328 頁
- 定価
- 55000 円
- 販売元
- サイエンス＆テクノロジー Amazon
Book 書籍案内
プラズマCVDにおける成膜条件の最適化に向けた 反応機構の理解とプロセス制御・成膜事例
公開日：2024年1月31日
内容紹介
目次
電気回路、電磁気学、放電工学、流体力学、化学工学、表面科学……
様々な学問体系が絡み合う、複雑なプラズマCVDを「使いこなしたい！」と願う技術者・研究者へ本書籍では、『第２章 適切に制御するための「物理的側面」の理解』において、一次元の直流CCPモデルの計算による電極間の電子密度、イオン密度、電場、電位、イオン化レートの空間分布の時間発展、二次元のRF CCPモデルの計算によるセルフバイアスの電極面積依存性をCOMSOL Multiphysics®のプラズマモジュールを用いて計算しました。また，RF CCPの計算結果とCOMSOL Multiphysics®の粒子トレーシングを組み合わせて、RF CCPにおけるイオンエネルギー分布のバイモーダル特性のイオン質量依存性や周波数依存性を計算しました。『第３章 適切に制御するための「化学的側面」の理解』においては，簡単化したSiH4プラズマ中のラジカル密度の時間発展を説明するために、COMSOL Multiphysics®の化学反応工学モジュールを用いて計算しました。
様々な学問体系が絡み合う、複雑なプラズマCVDを「使いこなしたい！」と願う技術者・研究者へ本書籍では、『第２章 適切に制御するための「物理的側面」の理解』において、一次元の直流CCPモデルの計算による電極間の電子密度、イオン密度、電場、電位、イオン化レートの空間分布の時間発展、二次元のRF CCPモデルの計算によるセルフバイアスの電極面積依存性をCOMSOL Multiphysics®のプラズマモジュールを用いて計算しました。また，RF CCPの計算結果とCOMSOL Multiphysics®の粒子トレーシングを組み合わせて、RF CCPにおけるイオンエネルギー分布のバイモーダル特性のイオン質量依存性や周波数依存性を計算しました。『第３章 適切に制御するための「化学的側面」の理解』においては，簡単化したSiH4プラズマ中のラジカル密度の時間発展を説明するために、COMSOL Multiphysics®の化学反応工学モジュールを用いて計算しました。
第１章 目的に応じた成膜方式の選定
第２章 適切に制御するための「物理的側面」の理解
第３章 適切に制御するための「化学的側面」の理解
第４章 最終的な膜構造に直結する表面反応の機構
第５章 成膜条件の最適化において考慮すべき条件
第６章 成膜プロセス最適化への影響因子および成膜事例
