セミナー概要

セミナーの前半では、PNダイオードと集中回路モデルを組み合わせた半波整流器のフルデバイスレベルシミュレーションについて詳しく説明します。このシミュレーションモデルは、2DのPN接合ダイオードを正弦波ソース、抵抗および接地を含む回路に接続して、基本的な半波整流回路を形成することによって作成されます。シミュレーション結果を検証するために、デバイスシミュレーションの出力を、大信号ダイオードモデルの回路応答と比較します。
セミナーの後半では、半導体インターフェースと伝熱（固体）インターフェースの連成方法を実演します。熱解析は、アクティブフォワード構成で動作するバイポーラ接合トランジスタ(BJT)モデルで実行されます。半導体インターフェースは、デバイス内のキャリアダイナミクスと電流を計算し、電気的プロセスによる加熱項を出力します。この加熱項は、デバイス全体の温度分布を計算するために、伝熱（固体）インターフェースによって熱源として使用されます。また、伝熱（固体）インターフェースから得られた温度分布によって半導体の電気的特性が変化し、加熱項が変化します。これで双方向連成のモデルが得られます。
また、本セミナーでは、COMSOL Multiphysicsシミュレーションによる多様な産業応用事例を紹介し、マルチフィジックスモデリングの重要性に焦点を当てます。

■こんな方におすすめ：
本セミナーでは、半導体デバイスを知りたい初心者から、半導体デバイスとそのアプリケーションの開発のための詳細なマルチフィジックスシミュレーションを求める上級ユーザーまでを対象としています。また、半導体業界のプロセス研究開発チームや生産チームにとっても有用な情報を提供します。

講師

ムルガナタン マノハラン
計測エンジニアリングシステム株式会社  技術部

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